반응형 반도체 미세공정의 한계 원인1 반도체 미세공정의 한계 원인 비용증가 누설전류 얼마 전까지만 해도 반도체의 최대 이슈는 어떤 회사가 좀 더 미세한 공정으로 정교하게 반도체를 만드느냐였습니다. 물론 미세공정 이슈는 지금도 뜨거운 감자 중에 하나입니다. TSMC, 삼성전자 그리고 인텔 간의 초미세공정 경쟁은 3나노를 지나서 이제 2나노에 누가 더 먼저 도달할 것인가를 치열한 경쟁을 이어나가고 있는 상황입니다. 그런데 이렇게 미세공정이 고도화되면서 제기되는 문제가 있습니다. 오늘은 반도체 미세공정의 한계 원인인 비용증가와 누설전류 증가에 대해 알아보겠습니다. 반도체 미세공정의 한계 원인 (1) 기하급수적인 비용 증가 최상위 노드의 개발 비용과 설계비용 그리고 제조비용이 기하급수적으로 늘어난다는 것입니다. 하지만 늘어나는 비용에 비해서 기대되는 성능 향상의 폭은 그렇게 높지가 않기 때문에.. 2024. 1. 7. 이전 1 다음 반응형
